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SAP2003
达林顿阵列功率驱动集成电路
详情 重点优势 的产品外形尺寸几大类 内部组织框图 工艺文档文件 对应封裝内部结构图
SAP2003是高击穿电压、大功率达林顿阵列，由五个NPN 达林顿管形成，其他第一单元重复使用射极。每一款对达林顿都关联一款2.7K 的基极电阻功率，直接的兼容TTL 和5V CMOS 电路板。SAP2003单过道灌功率高达500mA，且较高作业电压电压高达50V。高负载电阻功率情况下下，打出应该并行执行作业。


主要特点
办公线电压范围内宽七路高增加收益达林顿阵列模拟输出电阻高（达到50V）伤害电流量大（单区域led光通量500mA）可与TTL、CMOS直接的兼容内装钳位场效应管兼容各样额定负载


产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 备注
SAP2003SC SOP-16-225-1.27 SAP2003SC 无卤 料管
SAP2003SCTR SOP-16-225-1.27 SAP2003SC 无卤 编带
SAP2003DC DIP-16-300-2.54 SAP2003DC 无卤 料管
SAP2003JS TSSOP-16-225-0.65 SAP2003JS 无卤 料管
SAP2003JSTR TSSOP-16-225-0.65 SAP2003JS 无卤 编带
内部框图

2003.png

技术文档
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新中文版本
SAP2003 PDF 335 2023-06-12 SAP2003 简要版说明书