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EN

分立器件成品

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SGM50HF12A1TFDT4

50A，1200V IGBT模块

阐述其主要特征相应的芯片封装造型图

SGM50HF12A1TFDT4摸块耐腐蚀性良好率，符合于不中断开关电源，交流会交流变频驱动包器、电工机等。

主要特点

50A，1200V，VCE(sat)(明显值) =2.0V@IC=50A
VCE(sat)带正温暖常数
高抗不导通学习能力
开低关消耗
绝缘电阻铜底板，通过DBC工艺

封装外形图