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SAP2003
达林顿阵列功率驱动集成电路
分析 主耍特色 内部结构框图 各种相关封装形式形态图
SAP2003是高击穿电压值、大功率值量达林顿阵列，由九个NPN达林顿管包含，所有机组混用发射卫星极。每段对达林顿都串连这个2.7K的基极电 阻，直接性兼容TTL和5V CMOS集成运放。 SAP2003单车道灌功率值量达到500mA，且最高的上班电压值达到50V。 高负载电阻功率值量状态下下，模拟输出可并行处理运转。
主要特点
  • 岗位端电压面积宽
  • 七路高增益值达林顿阵列读取电流电压高（可以达到 50V）
  • 模拟输出电压电流大（单检修通道多达 500mA） 
  • 可与 TTL、CMOS 间接兼容
  • 默认设置钳位肖特基二极管兼容非理性额定负载
内部框图

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