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SAP2003
达林顿阵列功率驱动集成电路
描写
主要是优点和缺点
内框图
涉及到的二极管封装形状图
SAP2003是高耐压性、大功率达林顿阵列,由四个NPN达林顿管分解成,那些单无公有导弹极。任一对达林顿都串连其中一个2.7K的基极电 阻,之间兼容TTL和5V CMOS集成运放。 SAP2003单渠道灌功率能达到500mA,且高运转电阻值能达到50V。 高额定负载功率形态下,转换会并行性作业。
主要特点
上班电流条件宽
七路高收获达林顿阵列打出电阻高(高达 50V)
传输电压大(单工作区led光通量 500mA)
可与 TTL、CMOS 间接兼容
预置钳位电感兼容非理性短路电流
内部框图
封装外形图
TSSOP-16-225-0.65
SOP-16-225-1.27
DIP-16-300-2.54